韓國三星電子于12月21日宣布，將在日本橫濱市設(shè)立半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地。三星將與日本企業(yè)、大學(xué)和研究機構(gòu)共同開發(fā)尖端半導(dǎo)體制造技術(shù)。鑒于尖端產(chǎn)品競爭中落后的危機感日益加深，三星將加快研發(fā)步伐。

　　三星計劃于2024年在橫濱市的港未來區(qū)建立“先進封裝實驗室(Advanced Package Lab)”，并在未來5年投入超過400億日元，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將補貼最多200億日元。據(jù)悉，該基地將雇傭100名以上的研發(fā)人員。

　　新基地將負責(zé)研發(fā)半導(dǎo)體芯片成型、封裝為電子零部件的“后工序”制造技術(shù)。三星將深化與在后工序材料和設(shè)備領(lǐng)域具有優(yōu)勢的日本企業(yè)的合作。在主原料硅晶圓上繪制微細電路的“前工序”技術(shù)創(chuàng)新難度增加的情況下，三星力爭通過改進后工序來提高半導(dǎo)體性能。

　　盡管從銷售額上看，三星是世界大廠，但其在尖端技術(shù)方面已開始落后。在曾經(jīng)最賺錢的主要產(chǎn)品DRAM領(lǐng)域，三星受到韓國SK海力士的猛烈追趕。

　　根據(jù)調(diào)查公司集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2023年7～9月的DRAM市場份額中，排名第一的三星為38.9%,第二位的SK為34.3%。與去年同期相比，兩家公司的市場份額差距縮小了7.3個百分點。也有人擔(dān)憂三星可能失去其維持了30年的DRAM首位寶座。

　　借助人工智能技術(shù)的普及浪潮，SK在新一代DRAM方面領(lǐng)先，即可以進行高速大容量處理的“HBM(高寬帶內(nèi)存)”。HBM采取將DRAM芯片堆疊起來的結(jié)構(gòu)，對后工序的組裝技術(shù)和材料的散熱性能等有要求。

　　此外，在半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)上，三星與臺積電(TSMC)的差距也在加大。在最尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域，左右今后競爭力的后工序技術(shù)也變得更加重要，三星正在急于提高良品率。

　　三星正在尋求與有交易關(guān)系的，在后工序上有優(yōu)勢的日本公司揖斐電和愛德萬，以及在材料技術(shù)上有優(yōu)勢的日本新興企業(yè)和研究機構(gòu)等的合作。在日韓關(guān)系改善的推動下，三星也正在計劃與材料大廠開展共同研究項目。