據(jù)外媒Tomshardware報(bào)道,中國(guó)知名3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日再次將美光告上法庭,在美國(guó)加利福尼亞州北區(qū)法院指控美光侵犯了其11項(xiàng)專利,涉及3D NAND Flash和DRAM產(chǎn)品。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅要求法院命令美光停止在美國(guó)銷售這些涉嫌侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品,還要求美光支付專利使用費(fèi)。具體指控稱,美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash,以及部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列),侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的11項(xiàng)專利或?qū)@暾?qǐng)。
事實(shí)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前已經(jīng)在2023年11月因8項(xiàng)專利在美國(guó)起訴美光;2024年6月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)又在美國(guó)起訴了美光資助的咨詢公司,指控其散布虛假信息。如今,長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次采取法律行動(dòng),展示了其捍衛(wèi)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的堅(jiān)定決心。